随着半导体技术快速的发展，5G时代的到来，各类现代化产品不断向着高压、大电流、高功率、高频率的方向发展；小体积，低能耗，高效率的产品外形需求也日益强烈. 作为 开关电源、PC电源、服务器电源、适配器、光伏逆变器、UPS、照明电源、OBC、充电桩等产品 不可缺少的部分，功率半导体器件的更小的体积，更高的效率的封装产品已经被大家一致渴求 。

美浦森半导体应时代所需及时推出紧凑型表面贴片封装-DFN8*8外形， 一经推出便 引来诸多应用客户的热切关注 目前 大功率表面贴片外形主流集中在TO-252(DPAK) TO-263(D2-PAK) 、DFN5*6 等外形上，但是由于封装本身尺寸及封装能力限制，新一代高效，小体积 产品需求的表面贴片外形现有封装很难以满足， DFN8*8外形封装应运而生 。 下面我们来了解下DFN8*8 外形的特性。

一、 DFN8*8外形封装 特点

 ■ 表贴封装

 ■ 封装高度仅有1mm 

 ■ 爬电距离增加到2.75mm

 ■ 无引脚设计 

 ■ 加大式的基岛

 ■ 优异的热性能，与TO - 263 （ D-2PAK ）类似

 ■ 体积小，便捷贴合 

 二、封装尺寸对比

16px">DFN8*8与传统TO-252、TO-263封装尺寸相比,拥有更多的优点和特性 

1、TO-252封装尺寸为6.6*10*2.3(mm)；    TO-263封装尺寸为10.2*15.15*4.7(mm)； DFN8*8封装尺寸为8*8*1.0(mm)，粘贴方面拥有更小体积占比 

2、TO-252、TO-263和DFN8*8占电路板面积分别为66mm2、154mm2 和64mm2。    DFN所占电路板面积比TO-263减小50%以上。 

3、TO-252、TO-263和DFN8*8背部散热片面积分别约为23mm2、47mm2和34mm2。 DFN8*8背部散热片面积比TO-252增加50%左右。

 4、TO-252、TO-263和DFN8*8高度分别为2.3mm、4.7mm和1mm，DFN8*8    高度均小于TO-252与TO-263。

三、对比传统插件封装

与传统的TO-220和TO-247，TO-3PN封装相比，贴片封装外形大大减少了封装尺寸大小，优化了体积和空间占比，DFN8*8更因为其无引脚设计，相对于TO-252和TO-263而言，寄生电感更低，主要的冷却路径是通过裸露的金属焊盘到PCB，提高封装的散热能力。 加大式的基岛设计，在封装上满足近似插件功率器件的要求；优异的导热性能，与TO263D-2PAK）类似 ，直接随PCB贴合散热；小体积设计，可以大大减少产品空间占用； Diode、MOSFET（Super Junction,iCMOSFET）同步封装上市满足更多行业需求优良的RDSON和VFSD直接应用更多高要求项目；

四、实用项目展示更快，更小，更高效一直是我们工程师设计追求的方向。

在新时代的快节奏生活中，快速，高效，便捷的的应用体验从来都是备受青睐美浦森半导体成立于2014年，座落于号称中国改革创新前沿的深圳市南山区蛇口，是一家集研发、设计、生产、销售和服务为一体的完整型产业链公司，国家级高新技术企业。 主营POWER MOSFET（功率MOS）、Trench MOSFET(中低压MOS)、SUPER JUNCTION MOSFET（超结MOS）、SiC MOSFET(碳化硅MOS)、SiC DIODE(碳化硅二极管)等系列产品。 美浦森半导体新推出的DFN8*8外形的超结MOSFET自推出市场后，便大放异彩。

【本篇内容转载自美浦森半导体】

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